Article Dans Une Revue
Physica Status Solidi A (applications and materials science)
Année : 2017
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https://univ-tours.hal.science/hal-02152388
Soumis le : mardi 11 juin 2019-14:03:00
Dernière modification le : jeudi 19 mars 2026-16:48:02
Citer
Guillaume Gomme, Gaël Gautier, Marc Portail, Eric Frayssinet, Daniel Alquier, et al.. A detailed study of AlN and GaN grown on silicon-on-porous silicon substrate. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2017, 214 (4), pp.1600450. ⟨10.1002/pssa.201600450⟩. ⟨hal-02152388⟩
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