Deep trench etching combining aluminium thermomigration and electrochemical silicon dissolution - Université de Tours Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00097748 , version 1 (22-09-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00097748 , version 1

Citer

Gaël Gautier, Laurent Ventura, Robert Jerisian, Sébastien Kouassi, Chantal Leborgne, et al.. Deep trench etching combining aluminium thermomigration and electrochemical silicon dissolution. Applied Physics Letters, 2006, 88, pp.212501-3. ⟨hal-00097748⟩
27 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More