AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications - Université de Tours
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications

Marie Lesecq
Puissance - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
E. Frayssinet
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Marc Portail
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
M Bah
  • Fonction : Auteur
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
N. Defrance
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Puissance - IEMN
T-H. Ngo
  • Fonction : Auteur
M. Abou Daher
  • Fonction : Auteur
M. Zielinski
  • Fonction : Auteur
INL - Conception de Systèmes Hétérogènes
Daniel Alquier
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
Jean-Claude de Jaeger
Puissance - IEMN
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Yvon Cordier
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-04038119

Soumis le : lundi 20 mars 2023-17:12:40

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-18:28:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04038119 , version 1 (20-03-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04038119 , version 1

Citer

Marie Lesecq, E. Frayssinet, Marc Portail, M Bah, N. Defrance, et al.. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications. 13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020), Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-04038119⟩

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